CVD工藝氣體和液體輸送系統(tǒng)

化學氣相沉積（CVD）工藝是指半導體和太陽能行業(yè)中通常使用的一種制造程序。程序涉及從氣相將固體材料沉積到基板或晶片上。

CVD工藝的關鍵組成部分之一是氣體輸送系統(tǒng)，該系統(tǒng)將前體供應到反應室。當氣體與加熱的基材接觸時，這些氣體分解（反應）并在基材上形成固體層。
NFO技術

這種CVD工藝使制造商可以在“摻雜”步驟中添加其他材料，包括鋅。在基板上施加一層摻雜會影響其導電能力。制造NFO薄膜的第一步需要創(chuàng)建一種NFO溶液，該溶液由一種有機溶劑與鐵和鎳化合物結合而成。

其他步驟包括：

·在硅晶片上鋪鉑。

·將NFO解決方案引入晶圓。

·旋轉晶圓以使溶液均勻地分布在整個表面上。

·加熱晶片以溶解溶劑。

·在750攝氏度的溫度下重新加熱晶片，從而固化NFO。

據(jù)研究人員稱，CVD程序還使該材料具有靈活性，并適用于多種應用。研究人員通過在摻雜過程中添加鋅，增強了NFO在較高溫度下保持其磁性的能力。